Распыление является еще одним способом физической технологии осаждения в газовой фазе. 

Что такое технология распыления? 

Распыление является еще одним способом физической технологии осаждения в газовой фазе, и процесс распыления - это метод ионной бомбардировки поверхности мишени, так что материал мишени подвергается бомбардировке.  Инертные газы, такие как аргон, заполняются в вакуумной полости, используя высокое напряжение, чтобы производить тлеющий разряд, ускорять ионы на поверхность мишени, ионы аргона бомбардируют материал мишени с поверхности (распыляют) и осаждают его на изделиях перед мишенью, часто также необходимо использовать другие газовые тела, такие как азот и ацетилен, и распыляемый материал мишени реагирует, образуя тонкую пленку соединения.  Технология распыления может быть изготовлена из нескольких покрытий, имеет много преимуществ в декоративном покрытии (например, Ti, Cr, Zr и углеродный нитрид), так как его покрытие очень гладкое, что делает технологию распыления также широко используемой в области фрикционизма на автомобильном рынке (например, CrN, Cr2N и несколько видов алмазных (DLC) покрытий).  Высокоэнергетические ионы бомбардируют мишени, извлекают атомы и превращают их в газообразные, используя технологию магнитного распыления, которая может распылять большое количество материала. 

 Преимущества технологии распыления: 

+ Цели используют водяное охлаждение, уменьшая тепловое излучение 

+ При отсутствии необходимости разложения практически любой металлический материал может быть распылен в качестве мишени 

+ Изоляционные материалы также могут распыляться с помощью радиочастотного или среднечастотного источника питания 

+ Получение оксида стало возможным (реактивное распыление) 

+ Хорошая однородность покрытия 

+ Покрытие очень гладкое (без капель) 

+ Катод (максимальная длина 2 м) может быть размещен в любом месте, что повышает гибкость конструкции устройства 

Недостатки технологии распыления: 

- Более низкая скорость осаждения по сравнению с электродуговой технологией 

- Низкая плотность плазмы по сравнению с дугой (~ 5%), низкая плотность соединения покрытия и покрытия 

 Технология распыления имеет несколько форм, и здесь мы объясним некоторые из них, эти технологии распыления могут быть реализованы на вакуумном покрытии, произведенном в вакуумной технологии. 

 + Магнитное распыление использует магнитное поле для поддержания плазмы перед мишенью, усиливая ионную бомбардировку и увеличивая плотность плазмы. 

 + UBM - это аббревиатура неуравновешенного магнитного распыления.  Для усиления плотности плазмы вблизи заготовки используются усиленные катушки магнитного поля.  Можно получить более плотное покрытие.  В UBM - процессах используется более высокая энергия, поэтому температура также повышается. 

 + Распыление в замкнутом поле ограничивает плазму в замкнутом поле с помощью распределения магнитного поля.  Уменьшение потерь материала - мишени в вакуумной камере и приближение плазмы к изделию.  Можно получить плотное покрытие и держать вакуумные камеры относительно чистыми. 

 + Двойное целевое распыление (DMS) - это технология, используемая для осаждения изоляционных покрытий.  Переменный ток (AC) действует на два катода, а не на постоянный ток (DC) между катодом и вакуумной камерой.  Таким образом, мишень имеет функцию самоочищения.  Магнитное распыление двойных мишеней используется для высокоскоростного осаждения, такого как оксидное покрытие. 

 + HIPIMS + (высокомощное импульсное магнитное распыление) использует высокоимпульсный источник питания для повышения скорости диссоциации распыляемого материала.  Покрытие, подготовленное с использованием HIPIMS +, имеет преимущества как дуговой технологии, так и технологии распыления.  HIPIMS + образует плотное покрытие с хорошей связью покрытия, а также гладкое и безупречное покрытие атомного класса.